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四氟化碳也一樣，比如我們公司生產的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態(tài)的，在正常大氣壓下就是氣態(tài)的，四氟化碳廠家，四氟化碳是有一定毒性的應該不能用作呼吸。反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續(xù)進行，寧波四氟化碳，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，四氟化碳公司，然后慢慢地氣化。吸入四氟化碳的后果與濃度有關，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。

四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。四氯1化碳與氟化1氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經精餾而得成品。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。

反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續(xù)進行，高純四氟化碳，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

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