安徽譜純 專業(yè)配置(圖)-工業(yè)四氟化碳-無錫四氟化碳：

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四氟化碳的密度比較高，四氟化碳報(bào)價(jià)，可以填滿地面空間范圍，在不通風(fēng)的地方會(huì)導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風(fēng)的庫(kù)房?jī)?nèi)，嚴(yán)禁曝曬，遠(yuǎn)離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

由碳與氟反應(yīng)，或一氧4化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應(yīng)，或四氯4化碳與氟化銀反應(yīng)，四氟化碳多少錢，或四氯4化碳與氟化4氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

四氟化碳物理性質(zhì) :

   熔點(diǎn)-183.6℃，四氟化碳?xì)怏w價(jià)格，

   分子式是CF4，

　　沸點(diǎn)-128.1℃，無錫四氟化碳，

　　液體密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液體折光率(-173℃)1.515，

　　固體轉(zhuǎn)變點(diǎn)72.2K，

　　臨界溫度-45.67℃，

　　臨界壓力3.73MPa，

   蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa

  介電常數(shù)（25℃，0.5MPa）1.0006

　　臨界密度：7.1dm3/mol

　　標(biāo)準(zhǔn)摩爾自由能：-929.84 kJ/mol

　　標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危險(xiǎn)性類別：第2.2類不燃?xì)怏w

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