按其催化作用增長(zhǎng)的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^(guò)加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。





四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶不得靠近火源,不得受日光曝曬,與明火距離一般應(yīng)該不小于10米,氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂。四氟化碳作為制冷劑是一種無(wú)色不可燃?xì)怏w,能夠保障液體運(yùn)輸?shù)陌踩浴T谂R床醫(yī)學(xué)中,四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出,四氟化碳的應(yīng)用范圍廣泛,在下游電子產(chǎn)業(yè)等帶動(dòng)下,行業(yè)快速發(fā)展。溫室氣體,其造成溫室效應(yīng)的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定,而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。

高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域,可用來(lái)蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等離子蝕刻氣體。此外,高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝,也用作激光氣體,用于低溫制冷劑、溶劑、潤(rùn)滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,隨后通過(guò)硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。

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