含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。四氟化1碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化1碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅,隨后通過硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng),CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。





儲(chǔ)存注意事項(xiàng):儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)的不燃?xì)怏w庫房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫溫不宜超過30℃。應(yīng)與易(可)燃物、氧化劑分開存放,切忌混儲(chǔ)。儲(chǔ)區(qū)應(yīng)備有泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。四氟化碳作為制冷劑是一種無色不可燃?xì)怏w,能夠保障液體運(yùn)輸?shù)陌踩浴T谂R床醫(yī)學(xué)中,四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出,四氟化碳的應(yīng)用范圍廣泛,在下游電子產(chǎn)業(yè)等帶動(dòng)下,行業(yè)快速發(fā)展。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,高純氣高純氧的混合氣,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。

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