由碳與氟反應(yīng),或一氧1化碳與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應(yīng),或四氯化1碳與氟化銀反應(yīng),或四氯1化碳與氟化1氫反應(yīng),都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果與濃度有關(guān),包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長(zhǎng)時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。





它在大氣中的壽命約為50,000年,全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似,但四氟化碳不會(huì)破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預(yù)先稱(chēng)取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤(pán)中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤(pán)放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
產(chǎn)品經(jīng)除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾,通過(guò)控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶不得靠近火源,不得受日光曝曬,與明火距離一般應(yīng)該不小于10米,氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂。由碳與氟反應(yīng),或與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),都能生成四氟化碳。

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