四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳,為非腐蝕性氣體,所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅,鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩(wěn)定,可以長時間停留在大氣層中,是一種非常強大的溫室氣體。四氟化碳一般認為是惰性低毒物質,在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四氯1化碳。四氯化1碳與氟化1氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行。





四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產(chǎn)生有毒氟化物。
四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內(nèi),小白鼠仍可安全脫險。隨著芯片制程向7納米邁進,細微雜質對芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術與產(chǎn)品質量仍有提升空間。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,高純氣高純氧的混合氣,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

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