對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。產(chǎn)品經(jīng)除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。





四氟化碳是一種鹵代烴,化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域,可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等離子蝕刻氣體。此外,高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學(xué)家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內(nèi),小白鼠仍可安全脫險。

由碳與氟反應(yīng),或與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),都能生成四氟化碳。儲存注意事項:儲存于陰涼、通風(fēng)的不燃?xì)怏w庫房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫溫不宜超過30℃。應(yīng)與易(可)燃物、氧化劑分開存放,切忌混儲。儲區(qū)應(yīng)備有泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,經(jīng)精餾而得成品。

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