四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結構,晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內,小白鼠仍可安全脫險。四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。





由碳與氟反應,或與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,都能生成四氟化碳。儲存注意事項:儲存于陰涼、通風的不燃氣體庫房。遠離火種、熱源。庫溫不宜超過30℃。應與易(可)燃物、氧化劑分開存放,切忌混儲。儲區(qū)應備有泄漏應急處理設備。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,經精餾而得成品。

四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內的氣體不能全部用盡,應該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應離子刻蝕時,通過調節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳是當前微電子工業(yè)中應用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領域有著應用。

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