譜純氣體|長期供應(yīng)(多圖)-高純四氟化碳：

 在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因為導(dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應(yīng)繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。四氟化碳，又稱為四氟甲1烷、Freon-14及R 14，是一種鹵代烴(化學(xué)式:CF4)。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲1烷、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。

含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。四氟化1碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化1碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅，隨后通過硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

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