四氟化碳高純氣體-譜純氣體|氣源充足(在線咨詢)：

四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。

是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。溫室氣體，其造成溫室效應(yīng)的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。在全球范圍內(nèi)，高純度四氟化碳應(yīng)用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū)，受電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度不同影響，對于高純度四氟化碳的需求也不同，亞洲地區(qū)由于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后，近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展?fàn)顟B(tài)，因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費(fèi)量持續(xù)攀升。

四氟化碳貯存注意事項(xiàng)：氣瓶不得靠近火源，不得受日光曝曬，與明火距離一般應(yīng)該不小于10米，氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂。四氟化碳作為制冷劑是一種無色不可燃?xì)怏w，能夠保障液體運(yùn)輸?shù)陌踩浴Ｔ谂R床醫(yī)學(xué)中，四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出，四氟化碳的應(yīng)用范圍廣泛，在下游電子產(chǎn)業(yè)等帶動下，行業(yè)快速發(fā)展。溫室氣體，其造成溫室效應(yīng)的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。

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