四氟化1碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì),在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應(yīng)在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。





四氟化碳是一種鹵代烴,化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。隨著手機(jī)、相機(jī)、太陽能電池等消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求量不斷攀升,高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業(yè)的主要增長動力。在全球范圍內(nèi),高純度四氟化碳應(yīng)用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū),受電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度不同影響,對于高純度四氟化碳的需求也不同,亞洲地區(qū)由于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后,近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展?fàn)顟B(tài),因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費(fèi)量持續(xù)攀升。

隨著芯片制程向7納米邁進(jìn),細(xì)微雜質(zhì)對芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳是一種鹵代烴,化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,高純四氟化碳是一種高純電子氣體,在電子產(chǎn)業(yè)中需求量大。

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