包頭四氟化碳-安徽譜純(在線咨詢)-四氟化碳公司：

四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳也一樣，比如我們公司生產(chǎn)的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態(tài)的，在正常大氣壓下就是氣態(tài)的，四氟化碳是有一定毒性的應(yīng)該不能用作呼吸。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾，通過(guò)控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。

由碳與氟反應(yīng)，或一氧1化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應(yīng)，或四氯化1碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯1化碳與氟化1氫反應(yīng)，都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果與濃度有關(guān)，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長(zhǎng)時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

隨著芯片制程向7納米邁進(jìn)，細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高，在此背景下，我國(guó)高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳是一種鹵代烴，化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳，也可以被視為一種無(wú)機(jī)化合物。零下198 °C時(shí)，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，高純四氟化碳是一種高純電子氣體，在電子產(chǎn)業(yè)中需求量大。

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