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特種氣體在蝕刻中的應(yīng)用

蝕刻是采用化學(xué)和物理方法，有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)1制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕刻和干法蝕刻。濕法蝕刻是利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過(guò)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行蝕刻。干法蝕刻利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，或通過(guò)轟擊等物理作用而達(dá)到蝕刻的目的。其主要介質(zhì)是氣體。干法蝕刻的優(yōu)點(diǎn)是各向異性(即垂直方向蝕刻速率遠(yuǎn)大于橫向速率)明顯、特征尺寸控制良好、化學(xué)品使用和處理費(fèi)用低、蝕刻速率高、均勻性好、良率高等。常用的干法刻蝕是等離子體蝕刻。

硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體，包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙1烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性，選擇性較差，因此改進(jìn)后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和xiu基(Br2、HBr)氣體。反應(yīng)后的生成物包括四氟化1硅、四氯硅1烷和SiBr4。鋁和金屬?gòu)?fù)合層的蝕刻通常采用氯基氣體，如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等

電子特種氣體種類(lèi)多，特種氣體出售，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。 電子特種氣體在半導(dǎo)體整個(gè)制程應(yīng)用中成本占比僅為 5%~6%，但是由于其品種繁多，在半導(dǎo)體制程工藝中覆蓋廣泛，因此成為衡量半導(dǎo)體技術(shù)的核心產(chǎn)品。在制備特種氣體供應(yīng)環(huán)節(jié)所涉及的市場(chǎng)依然是國(guó)內(nèi)外公司積極布局的方向。特種氣體的分類(lèi)方式很多種，例如按照氣體本身化學(xué)成分可分為：硅系、shen系、磷系、硼系、金屬氫化物、鹵化物和金屬烴化物七類(lèi)。按照在集成電路中的作用可分為摻雜氣體、外延氣體、離子注入氣體、發(fā)光二極管用氣體、刻蝕氣體、化學(xué)氣相沉積（CVD）用氣體、載運(yùn)稀釋氣體七類(lèi)。

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