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特種氣體中單元高純氣體的品種及用途

特種氣體是由兩大類氣體組成的。一類為單元高純氣體，另一類為混合氣體。對于單元高純氣體，根據(jù)現(xiàn)已收集到的文獻，特種氣體生產(chǎn)廠家，匯總起來共有227種，可分成五個類別: 一、電子氣體，共85種(序號1～85)，青島特種氣體，占總數(shù)的36.3％; 二、有機氣體，共61種(序號86～146)，特種氣體廠家直銷，占總數(shù)的27.8％; 三、無機氣體，共35種(序號147～181)，占總數(shù)的15.5％;

特種氣體是光電子、微電子等領(lǐng)域。特別是超大規(guī)模集成電路、液晶顯示器件、非晶硅薄膜太陽能電池、半導(dǎo)體發(fā)光器件和半導(dǎo)體材料制造過程不可缺少的基礎(chǔ)性支撐源材料。它的純度和潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質(zhì)量、集成度、特定技術(shù)指標和成品率，并從根本上制約著電路和器件的精1確性和準確性。半導(dǎo)體工業(yè)用氣體品種多、質(zhì)量要求高、用量少，大部分是有毒或腐蝕性氣體。品種高達百余種。

特種氣體在蝕刻中的應(yīng)用

蝕刻是采用化學(xué)和物理方法，有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)1制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕刻和干法蝕刻。濕法蝕刻是利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進行蝕刻。干法蝕刻利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，特種氣體廠家供應(yīng)，或通過轟擊等物理作用而達到蝕刻的目的。其主要介質(zhì)是氣體。干法蝕刻的優(yōu)點是各向異性(即垂直方向蝕刻速率遠大于橫向速率)明顯、特征尺寸控制良好、化學(xué)品使用和處理費用低、蝕刻速率高、均勻性好、良率高等。常用的干法刻蝕是等離子體蝕刻。

硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體，包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙1烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性，選擇性較差，因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和xiu基(Br2、HBr)氣體。反應(yīng)后的生成物包括四氟化1硅、四氯硅1烷和SiBr4。鋁和金屬復(fù)合層的蝕刻通常采用氯基氣體，如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等

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